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參數(shù)資料
| 型號： | MT46V64M4TG-75E |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 16/83頁 |
| 文件大?。?/td> | 2343K |
| 代理商： | MT46V64M4TG-75E |
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256Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef8076894f
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
256MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. K 9/04 EN
23
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 14: Consecutive READ Bursts
NOTE:
1. DO n (or b) = data-out from column n (or column b).
2. Burst length = 4 or 8 (if 4, the bursts are concatenated; if 8, the second burst interrupts the first).
3. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DO n.
4. Three (or seven) subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DO b.
5. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
6. Example applies only when READ commands are issued to the same device.
CK
CK#
COMMAND
READ
NOP
READ
NOP
ADDRESS
Bank,
Col n
Bank,
Col b
COMMAND
READ
NOP
READ
NOP
ADDRESS
Bank,
Col n
Bank,
Col b
CL = 2
CK
CK#
COMMAND
ADDRESS
DQ
DQS
CL = 2.5
DQ
DQS
DO
n
DO
b
DO
n
DO
b
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T4n
T5n
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T4n
T5n
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
COMMAND
READ
NOP
READ
NOP
ADDRESS
Bank,
Col n
Bank,
Col b
CK
CK#
COMMAND
ADDRESS
DQ
DQS
CL = 3
DO
n
DO
b
T0
T1
T2
T3
T3n
T4
T5
T4n
T5n
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V64M4FG-75Z | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| MT47H128M8HQ-3AT | 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| MT47H64M16HR-3IT | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| MT48H8M16LFB4-8IT:JTR | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32TG-10 | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46V64M4TG-75Z | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V64M8 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:512Mb: x4, x8, x16 Double Data Rate SDRAM Features |
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