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參數(shù)資料
| 型號： | MT46V128M4P-75ZLIT:C |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 64/94頁 |
| 文件大小： | 4179K |
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Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. J 1/06 EN
67
2000–2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Electrical Specifications
Write recovery time
tWR
15
ns
Internal WRITE-to-READ command delay
tWTR
1
tCK
Data valid output window (DVW)
N/A
tQH - tDQSQ tQH - tDQSQ
tQH - tDQSQ
ns
REFRESH-to-REFRESH command interval
tREFC
70.3
s
Average periodic refresh interval
tREFI
7.8
s
Terminating voltage delay to VDD
tVTD
0
ns
Exit SELF REFRESH-to-non-READ command
tXSNR
75
ns
Exit SELF REFRESH-to-READ command
tXSRD
200
tCK
Table 27:
Electrical Characteristics and Recommended AC Operating Conditions (-6/-6T/-75E)
Notes: 1–5, 14–17, 33; notes appear on page 71–76; 0°C
≤ T
A ≤ +70°C; VDDQ = +2.5V ±0.2V, VDD = +2.5V ±0.2V
AC Characteristics
-6 (FBGA)
-6T (TSOP)
-75E
Units Notes
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V64M4TG-75E | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V64M4FG-75Z | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| MT47H128M8HQ-3AT | 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| MT47H64M16HR-3IT | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| MT48H8M16LFB4-8IT:JTR | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46V128M4T67A3WC1 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MX4 DDR SDRAM DIE-COM COMMERCIAL 2.5V - Trays |
| MT46V128M4TG-5B/D | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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