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參數(shù)資料
| 型號： | MT46V128M4P-75L:C |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 89/94頁 |
| 文件大?。?/td> | 4179K |
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Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. J 1/06 EN
9
2000–2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
General Description
Figure 4:
32 Meg x 16 Functional Block Diagram
13
RAS#
CAS#
ROW-
ADDRESS
MUX
CK
CS#
WE#
CK#
CONTROL
LOGIC
COLUMN-
ADDRESS
COUNTER/
LATCH
MODE REGISTERS
10
C
OMMAND
DE
C
ODE
A0-A12,
BA0, BA1
CKE
13
ADDRESS
REGISTER
15
512
(x32)
16384
I/O GATING
DM MASK LOGIC
COLUMN
DECODER
BANK0
MEMORY
ARRAY
(8,192 x 512 x 32)
BANK0
ROW-
ADDRESS
LATCH
&
DECODER
8192
SENSE AMPLIFIERS
BANK
CONTROL
LOGIC
15
BANK1
BANK2
BANK3
13
9
2
REFRESH
COUNTER
16
2
INPUT
REGISTERS
2
RCVRS
2
32
4
32
clk
out
DATA
DQS
MASK
DATA
CK
C?K
clk
in
DRVRS
DLL
MUX
DQS
GENERATOR
16
32
DQ0 -
DQ15
LDQS
UDQS
2
READ
LATCH
WRITE
FIFO
&
DRIVERS
1
COL0
LDM,
UDM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V128M4P-75ZLIT:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V64M4TG-75E | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V64M4FG-75Z | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| MT47H128M8HQ-3AT | 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| MT47H64M16HR-3IT | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46V128M4T67A3WC1 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MX4 DDR SDRAM DIE-COM COMMERCIAL 2.5V - Trays |
| MT46V128M4TG-5B/D | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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