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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT46V128M4P-75L:C |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 52/94頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 4179K |
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Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. J 1/06 EN
56
2000–2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Electrical Specifications
Figure 33:
Input Voltage Waveform
Notes: 1. VOH (MIN) with test load is 1.927V
2. VOL (MAX) with test load is 0.373V
3. For Non-DDR400 devices, numbers in diagram reflect nomimal values utilizing circuit
below.
0.940V
1.100V
1.200V
1.225V
1.250V
1.275V
1.300V
1.400V
1.560V
VIL(AC)
VIL(DC)
VREF - AC Noise
VREF - DC Error
VREF + DC Error
VREF + AC Noise
Receiver
Transmitter
VIH(DC)
VIH (AC)
VOH(MIN) (1.670V
1
for SSTL2 termination)
VINAC - Provides margin
between VOL (MAX) and VILAC
VSSQ
VDDQ (2.3V minimum)
VOL (MAX) (0.83V
2
for
SSTL2 termination)
System Noise Margin (Power/Ground,
Crosstalk, Signal Integrity Attenuation)
Reference
Point
25Ω
VTT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MT46V128M4P-75ZLIT:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
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參數(shù)描述 |
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