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參數(shù)資料
| 型號： | MT46V128M4P-75L:C |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 31/94頁 |
| 文件大?。?/td> | 4179K |
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Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. J 1/06 EN
37
2000–2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Operations
Figure 21:
WRITE Burst
Notes: 1. DI b = data-in for column b.
2. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following
DI b.
3. An uninterrupted BL = 4 is shown.
4. A10 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
DQS
tDQSS (MAX)
tDQSS (NOM)
tDQSS (MIN)
tDQSS
DM
DQ
CK
CK#
COMMAND
WRITE
NOP
ADDRESS
Bank a,
Col b
NOP
T0
T1
T2
T3
T2n
DQS
tDQSS
DM
DQ
DQS
tDQSS
DM
DQ
DI
b
DI
b
DI
b
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V128M4P-75ZLIT:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V64M4TG-75E | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V64M4FG-75Z | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| MT47H128M8HQ-3AT | 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| MT47H64M16HR-3IT | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46V128M4T67A3WC1 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MX4 DDR SDRAM DIE-COM COMMERCIAL 2.5V - Trays |
| MT46V128M4TG-5B/D | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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