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參數(shù)資料
| 型號： | MT46V128M4P-75L:C |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 26/94頁 |
| 文件大?。?/td> | 4179K |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁當(dāng)前第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁
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Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. J 1/06 EN
32
2000–2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Operations
Figure 17:
Terminating a READ Burst
Notes: 1. DO n = data-out from column n.
2. BL = 4.
3. Subsequent element of data-out appears in the programmed order following DO n.
4. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
5. BST = BURST TERMINATE command, page remains open.
CK
CK#
COMMAND
READ
BST
5
NOP
ADDRESS
Bank a,
Col n
READ
BST
5
NOP
Bank a,
Col n
CL = 2
CK
CK#
COMMAND
ADDRESS
DQ
DQS
CL = 2.5
DQ
DQS
DO
n
DO
n
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
READ
BST
5
NOP
Bank a,
Col n
CK
CK#
COMMAND
ADDRESS
DQ
DQS
CL = 3
DO
n
T0
T1
T2
T3
T3n
T4
T5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V128M4P-75ZLIT:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V64M4TG-75E | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V64M4FG-75Z | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| MT47H128M8HQ-3AT | 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| MT47H64M16HR-3IT | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46V128M4T67A3WC1 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MX4 DDR SDRAM DIE-COM COMMERCIAL 2.5V - Trays |
| MT46V128M4TG-5B/D | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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