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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT46H256M32LGMC-6:A |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA240 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, WFBGA-240 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 62/106頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 3431K |
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Figure 25: Alternate Initialization with CKE LOW
CKE
LVCMOS
LOW level
CK
CK#
VDD
VDDQ
Command1
LMR
tIS
tCH
tCL
tIH
PRE
T0
T1
Ta0
Tb0
Tc0
Td0
Te0
Tf0
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
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(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
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(
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(
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(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
NOP2
AR
NOP3
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
ACT3
(
)
(
)
(
)
(
)
Power up: VDD and CK stable
T = 200s
NOP
Don’t Care
Notes: 1. PRE = PRECHARGE command; LMR = LOAD MODE REGISTER command; AR = AUTO RE-
FRESH command; ACT = ACTIVE command.
2. NOP or DESELECT commands are required for at least
200μs.
3. Other valid commands are possible.
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Initialization
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
59
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