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參數(shù)資料
| 型號： | MT46H256M32L4CM-54IT:A |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 10 X 13 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 40/106頁 |
| 文件大?。?/td> | 3431K |
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25. The maximum limit for this parameter is not a device limit. The device will operate with
a greater value for this parameter, but system performance (bus turnaround) will de-
grade accordingly.
26. At least 1 clock cycle is required during tWR time when in auto precharge mode.
27. Clock must be toggled a minimum of two times during the tXSR period.
28. For the Automotive Temperature parts, tREF = tREF /2 and tREF I = tREF I/2 .
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Electrical Specifications – AC Operating Conditions
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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