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參數(shù)資料
| 型號： | MT46H128M32LFCM-5IT:A |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 10 X 13 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 91/106頁 |
| 文件大?。?/td> | 3431K |
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Figure 46: Random WRITE Cycles
tDQSS (NOM)
CK
CK#
Command
WRITE1,2
NOP
Address
Bank,
Col b
Bank,
Col x
Bank,
Col n
Bank,
Col g
Bank,
Col a
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T4n
T1n
T3n
T5n
DQ3,4
DQS
DM
Don’t Care
Transitioning Data
DIN
b’
DIN
x
DIN
x’
DIN
b
DIN
n’
DIN
a
DIN
a’
DIN
g
DIN
g’
DIN
n
WRITE1,2
Notes: 1. Each WRITE command can be to any bank.
2. Programmed BL = 2, 4, 8, or 16 in cases shown.
3. DINb (or x, n, a, g) = data-in for column b (or x, n, a, g).
4. b' (or x, n, a, g) = the next data-in following DINb (x, n, a, g) according to the program-
med burst order.
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
WRITE Operation
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
85
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V128M4FN-75E:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| MT46V128M4P-75L:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V128M4P-75ZLIT:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V64M4TG-75E | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V64M4FG-75Z | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46H16M16 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM |
| MT46H16M16LF | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM |
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