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參數(shù)資料
| 型號： | MT46H128M32LFCM-5IT:A |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 10 X 13 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 48/106頁 |
| 文件大?。?/td> | 3431K |
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Figure 18: ACTIVE Command
CS#
WE#
CAS#
RAS#
CKE
Address
Row
HIGH
BA0, BA1
Bank
CK
CK#
Don’t Care
READ
The READ command is used to initiate a burst read access to an active row. The values
on the BA0 and BA1 inputs select the bank; the address provided on inputs A[I:0] (where
I = the most significant column address bit for each configuration) selects the starting
column location. The value on input A10 determines whether auto precharge is used. If
auto precharge is selected, the row being accessed will be precharged at the end of the
READ burst; if auto precharge is not selected, the row will remain open for subsequent
accesses.
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Commands
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
46
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V128M4FN-75E:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| MT46V128M4P-75L:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V128M4P-75ZLIT:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V64M4TG-75E | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V64M4FG-75Z | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46H16M16 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM |
| MT46H16M16LF | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM |
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