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參數(shù)資料
| 型號： | MT46H128M32LFCM-5IT:A |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 10 X 13 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 42/106頁 |
| 文件大?。?/td> | 3431K |
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Output Drive Characteristics
Table 13: Target Output Drive Characteristics (Full Strength)
Notes 1–2 apply to all values; characteristics are specified under best and worst process variations/conditions
Voltage (V)
Pull-Down Current (mA)
Pull-Up Current (mA)
Min
Max
Min
Max
0.00
0.10
2.80
18.53
–2.80
–18.53
0.20
5.60
26.80
–5.60
–26.80
0.30
8.40
32.80
–8.40
–32.80
0.40
11.20
37.05
–11.20
–37.05
0.50
14.00
40.00
–14.00
–40.00
0.60
16.80
42.50
–16.80
–42.50
0.70
19.60
44.57
–19.60
–44.57
0.80
22.40
46.50
–22.40
–46.50
0.85
23.80
47.48
–23.80
–47.48
0.90
23.80
48.50
–23.80
–48.50
0.95
23.80
49.40
–23.80
–49.40
1.00
23.80
50.05
–23.80
–50.05
1.10
23.80
51.35
–23.80
–51.35
1.20
23.80
52.65
–23.80
–52.65
1.30
23.80
53.95
–23.80
–53.95
1.40
23.80
55.25
–23.80
–55.25
1.50
23.80
56.55
–23.80
–56.55
1.60
23.80
57.85
–23.80
–57.85
1.70
23.80
59.15
–23.80
–59.15
1.80
–
60.45
–
–60.45
1.90
–
61.75
–
–61.75
Notes: 1. Based on nominal impedance of
25Ω (full strength) at VDDQ/2.
2. The full variation in driver current from minimum to maximum, due to process, voltage,
and temperature, will lie within the outer bounding lines of the I-V curves.
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Output Drive Characteristics
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
40
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V128M4FN-75E:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| MT46V128M4P-75L:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V128M4P-75ZLIT:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V64M4TG-75E | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V64M4FG-75Z | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46H16M16 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM |
| MT46H16M16LF | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM |
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