參數(shù)資料
型號(hào)： MT46H128M32L4MA-54:A
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA168
封裝： 12 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, WFBGA-168
文件頁(yè)數(shù)： 75/106頁(yè)
文件大?。?/td> 3431K
command to the same bank cannot be issued until tRP is met. Part of the row precharge
time is hidden during the access of the last data elements.
Figure 31: READ Burst
NOP
DOUT n1
DOUT n + 1
NOP
READ
Bank a, Col n
T0
T1
T1n
T2
T2n
T3
T3n
T4
T5
DOUT n + 2 DOUT n + 3
CK#
CK
Command
Address
DQS
DQ
CL = 2
NOP
READ
Bank a, Col n
T0
T1
T2
T2n
T3
T3n
T4
T5
CK#
CK
Command
Address
DQS
DQ
CL = 3
Don’t Care
Transitioning Data
DOUT n
DOUT n + 1 DOUT n + 2 DOUT n + 3
Notes: 1. DOUT n = data-out from column n.
2. BL = 4.
3. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
READ Operation
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
70
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT46H128M32LFCM-5AT:A 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90
MT46H128M32LFCM-5IT:A 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90
MT46V128M4FN-75E:C 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60
MT46V128M4P-75L:C 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
MT46V128M4P-75ZLIT:C 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT46H16M16 制造商:MICRON 制造商全稱(chēng):Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM
MT46H16M16LF 制造商:MICRON 制造商全稱(chēng):Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM
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