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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT46H128M32L4KQ-75:A |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 32 DDR DRAM, 6 ns, PBGA168 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, WFBGA-168 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 84/106頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 3431K |
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Figure 40: Data Output Timing – tAC and tDQSCK
CK
CK#
DQS or LDQS/UDQS2
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T2n
T3n
T4n
T5n
T6
tRPST
tRPRE
tHZ
Command
NOP1
All DQ values, collectively3
T3
T2n
T4n
T5n
T5
tAC4
CL = 3
NOP1
READ
T2
tLZ
Don’t Care
T3n
T4
tDQSCK
Notes: 1. Commands other than NOP can be valid during this cycle.
2. DQ transitioning after DQS transitions define tDQSQ window.
3. All DQ must transition by tDQSQ after DQS transitions, regardless of tAC.
4. tAC is the DQ output window relative to CK and is the long-term component of DQ skew.
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
READ Operation
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46H128M32L4MA-54:A | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA168 |
| MT46H128M32LFCM-5AT:A | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| MT46H128M32LFCM-5IT:A | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| MT46V128M4FN-75E:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| MT46V128M4P-75L:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46H16M16 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM |
| MT46H16M16LF | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM |
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