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參數(shù)資料
| 型號： | MT46H128M32L2JV-54AT:A |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA168 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-168 |
| 文件頁數(shù)： | 103/106頁 |
| 文件大?。?/td> | 3431K |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁當前第103頁第104頁第105頁第106頁
Figure 55: Bank Write – With Auto Precharge
CK
CK#
CKE
A10
BA0, BA1
tCK
tCH
tCL
tIS
tIH
tIS
tIH
tIS tIH
Row
tRCD
tRAS
tRP
tWR
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T5n
T6
T7
T8
T4n
NOP4
Command
Note 3
ACTIVE
Row
Col n
WRITE2
NOP4
Bank x
NOP4
Bank x
NOP4
tDQSL tDQSH tWPST
DQ1
DQS
DM
DIN
b
tDS
tDH
tDQSS (NOM)
Don’t Care
Transitioning Data
tWPRES
tWPRE
Address
Notes: 1. NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at
these times.
2. BL = 4 in the case shown.
3. Enable auto precharge.
4. DINn = data-out from column n.
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Auto Precharge
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
96
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46H128M32L4CM-5AT:A | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| MT46H128M32L4KQ-75:A | 128M X 32 DDR DRAM, 6 ns, PBGA168 |
| MT46H128M32L4MA-54:A | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA168 |
| MT46H128M32LFCM-5AT:A | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| MT46H128M32LFCM-5IT:A | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
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參數(shù)描述 |
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