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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF7S21210HSR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 11/15頁 |
| 文件大小： | 458K |
| 代理商： | MRF7S21210HSR3 |
MRF7S21210HR3 MRF7S21210HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 2. Test Circuit Component Layout — MRF7S21210HR3
MRF7S21210H
Rev. 0
CUT
OUT
AREA
R2
R3
C3
C2
C1
C5
C6
C8
C7
C9
C16
C17
C18
C20
C19
C15
C13
C14
C11 C12
C10
R1
C4 not used in MRF7S21210HR3 part.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S27130HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7S35015HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7S38010HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7S38040HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7S38040HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF7S21210HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S27130HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.7GHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S27130HR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF7S27130HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.7GHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S27130HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.7GHZ 130W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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