參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S9125NBR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, WB-4, 4 PIN
文件頁數(shù)： 5/20頁
文件大小： 859K
代理商： MRF6S9125NBR1
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
EDGE CHARACTERIZATION
Figure 19. EVM versus Frequency
Figure 20. EVM and Drain Efficiency versus
Output Power
f, FREQUENCY (MHz)
Pout = 70 W Avg.
60 W Avg.
20 W Avg.
VDD = 28 Vdc
IDQ = 700 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
300
6
15
VDD = 28 Vdc
IDQ = 700 mA
f = 943 MHz
EDGE Modulation
12
9
0
10
1
3
30
75
60
45
0
15
TC = 25_C
EVM
980
82.5
52.5
900
SR @ 400 kHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 21. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
VDD = 28 Vdc, IDQ = 700 mA
f = 943 MHz, EDGE Modulation
60
75
910
920
930
940
950
960
970
Pout = 70 W Avg.
60 W Avg.
20 W Avg.
70 W Avg.
TC = 25_C
75
45
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
48
51
54
57
60
63
66
69
72
22.5
VDD = 28 Vdc
IDQ = 700 mA
f = 943 MHz
EDGE Modulation
Figure 22. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
ηD
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
EVM,
ERROR
VECT
OR
MAGNITUDE
(%
ms)
990
0
5
900
4.5
3
2.5
1.5
1
0.5
980
970
960
950
940
930
910
4
3.5
2
EVM,
ERROR
VECT
OR
MAGNITUDE
(%
ms)
SPECTRAL
REGROWTH
@
400
kHz
AND
600
kHz
(dBc)
SPECTRAL
REGROWTH
@
400
kHz
(dBc)
Figure 23. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
83
53
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
56
59
62
65
68
71
74
77
80
SPECTRAL
REGROWTH
@
600
kHz
(dBc)
920
100
67.5
SR @ 600 kHz
60 W Avg.
20 W Avg.
45
67.5
90
112.5
135
0
22.5
45
67.5
90
112.5
135
TC = 25_C
VDD = 28 Vdc
IDQ = 700 mA
f = 943 MHz
EDGE Modulation
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PDF描述
MRF6S9125NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
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