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參數(shù)資料
| 型號： | MRF21125 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| 中文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | NI-880, CASE 465B-03, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 381K |
| 代理商： | MRF21125 |
3
MRF21125 MRF21125S MRF21125SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
—
continued
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Unit
Max
Typ
Min
Symbol
TYPICAL TWO
–
TONE PERFORMANCE
(In Motorola Test Fixture)
Common
–
Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 125 W PEP, I
DQ
= 1600 mA, f1 = 2110 MHz,
f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
G
ps
—
12
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 125 W PEP, I
DQ
= 1600 mA, f1 = 2110 MHz,
f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
η
—
34
—
%
Intermodulation Distortion
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 125 W PEP, I
DQ
= 1600 mA, f1 = 2110 MHz,
f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
IMD
—
–
30
—
dBc
TYPICAL CW PERFORMANCE
Common
–
Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 125 W CW, I
DQ
= 1600 mA, f1 = 2170.0 MHz)
G
ps
—
11.5
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 125 W CW, I
DQ
= 1600 mA, f = 2170.0 MHz)
η
—
46
—
%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF21125SR3 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF21125S | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF255PHT | RF Power Field-Effect Transistor |
| MRF255 | N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FET |
| MRF275L | RF MOSFET(射頻MOS場效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF21125R3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF21125S | 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-391BVAR |
| MRF21125SR3 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF21180 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF21180R6 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
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