參數(shù)資料
型號(hào): MMFT5P03HDT3
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: JFETs
英文描述: TMOS P-CHANNEL FIELD FEECT TRANSISTOR
中文描述: 5.2 A, 30 V, 0.1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA
文件頁(yè)數(shù): 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 198K
代理商: MMFT5P03HDT3
8
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 14. Thermal Response
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
t, TIME (s)
0.1
0.01
0.001
D = 0.5
SINGLE PULSE
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0E+02
1.0E+03
0.0001
1
R
T
°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMFT5P03HD 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
MMFT5P03HDT3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
MMFT5P03HD TMOS MEDIUM POWER FET 5.2 AMPERES 30 VOLTS
MMG05N60D POWERLUX IGBT
MMG05N60D Insulated Gate Bipolar Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMFT6N03HD 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER 6.0 AMPERES 30 VOLTS
MMFT960T1 功能描述:MOSFET 60V 300mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMFT960T1_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 300 mA, 60 Volts N−Channel SOT−223
MMFT960T1G 功能描述:MOSFET 60V 300mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMFTN123 制造商:Diotec Semiconductor 功能描述: