參數(shù)資料
型號(hào): MMDF2C03HDR2
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 1/10頁
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描述: MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC
產(chǎn)品變化通告: LTB Notification 03/Jan/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 10
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.1A,3A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 70 毫歐 @ 3A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 630pF @ 24V
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 剪切帶 (CT)
其它名稱: MMDF2C03HDR2OSCT