| 型號(hào): | MMBT2132T3G |
| 廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi): | 功率晶體管 |
| 英文描述: | General Purpose Transistors NPN Bipolar Junction Transistor |
| 中文描述: | 700 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝: | CASE 318F-03, SC-59, 6 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
| 文件大小: | 67K |
| 代理商: | MMBT2132T3G |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2222ALT1 | General Purpose Transistors NPN Silicon(NPN型通用晶體管) |
| MMBT2222LT1 | General Purpose Transistors NPN Silicon(NPN型通用晶體管) |
| MMBT2222AWT1 | General Purpose Transistor NPN Silicon(NPN型通用晶體管) |
| MMBT2369ALT1G | Switching Transistors NPN Silicon |
| MMBT2369LT1G | Switching Transistors NPN Silicon |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT2222 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| MMBT2222_07 | 制造商:DIOTEC 制造商全稱(chēng):Diotec Semiconductor 功能描述:Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors |
| MMBT2222_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |