參數(shù)資料
型號： MMBD101TST/R7
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 104K
代理商： MMBD101TST/R7
PAGE . 2
REV.0.1-FEB.24.2009
MMBD101TS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVES
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
J
=25
O
C unless otherwise noted)
r
e
m
a
r
a
P
l
o
b
m
y
S
n
o
n
o
C
t
e
T
.
M
.
y
T
.
a
M
s
U
e
g
a
V
n
w
o
d
k
a
e
B
e
s
v
e
R
V
)
R
B
(
I
R
0
1
=
μ
A
0
0
1
-
V
t
e
C
e
g
a
k
a
e
L
e
s
v
e
R
I
R
V
R
V
0
=
-
-
5
2
μ
A
e
g
a
V
d
w
r
F
V
F
I
F
A
m
0
1
=
-
-
6
V
e
c
n
a
a
p
a
C
l
T
C
J
V
,
z
H
M
0
=
R
V
0
=
-
8
8
0
F
p
FIG. 1-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
FIG. 2-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
FIG. 3 TYPICAL TOTAL CAPACITANCE
0.1
1
10
100
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
Forward Voltage, V
F
(V)
F
F
(
T
J
= 25
T
J
= 75
T
J
= 125
0.01
0.1
1
10
0
25
50
75
100
125
150
Junction Temperature, T
J
(C)
R
R
(
V
R
= 3V
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0
1
2
3
4
5
6
7
Reverse Voltage, V
R
(V)
C
f=1MHz
O
C
O
C
O
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBD4148TW-13 0.15 A, 75 V, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
MMBD6050-TP 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
MMBD6050 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
MMBT200A-HIGH 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA
MMBTA63 PNP (DARLINGTON TRANSISTOR)
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參數(shù)描述
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