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參數(shù)資料
| 型號： | 934055958135 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, SMD, CMPAK-4 |
| 文件頁數(shù)： | 14/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | 934055958135 |
2000 Mar 29
7
Philips Semiconductors
Product specication
N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs
BF1202; BF1202R;
BF1202WR
handbook, halfpage
02
46
40
30
10
0
20
MCD960
VG2-S (V)
IG1
(
A)
4 V
3.5 V
3 V
4.5 V
VGG = 5 V
Fig.13 Gate 1 current as a function of gate 2
voltage; typical values.
VDS = 5 V; Tj =25 °C.
RG1 = 120 k (connected to VGG); see Fig.21.
handbook, halfpage
01
2
4
0
50
10
3
VAGC (V)
gain
reduction
(dB)
20
30
40
MCD961
Fig.14 Typical gain reduction as a function of the
AGC voltage; see Fig.21.
VDS = 5 V; VGG = 5 V; RG1 = 120 k;
f = 50 MHz; Tamb =25 °C.
0
gain reduction (dB)
10
50
120
110
90
80
100
20
30
40
MCD962
Vunw
(dB
V)
Fig.15 Unwanted voltage for 1% cross-modulation
as a function of gain reduction; typical
values; Fig.21.
VDS = 5 V; VGG = 5 V; RG1 = 120 k;
f= 50 MHz; funw = 60 MHz; Tamb =25 °C.
handbook, halfpage
0
gain reduction (dB)
10
50
16
12
4
0
8
20
30
40
MCD963
ID
(mA)
Fig.16 Drain current as a function of gain
reduction; typical values; see Fig.21.
VDS = 5 V; VGG = 5 V; RG1 = 120 k;
f = 50 MHz; Tamb =25 °C.
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參數(shù)描述 |
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| MC9S08PA4AVTG | 功能描述:IC MCU 8BIT 4KB FLASH 16TSSOP 制造商:nxp usa inc. 系列:S08 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 核心處理器:S08 核心尺寸:8-位 速度:20MHz 連接性:LIN，SPI，UART/USART 外設:LVD，POR，PWM，WDT I/O 數(shù):14 程序存儲容量:4KB（4K x 8） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 容量:128 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源（Vcc/Vdd）:2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉換器:A/D 8x12b 振蕩器類型:內部 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA） 封裝/外殼:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應商器件封裝:16-TSSOP 標準包裝:96 |
| MC9S08PA4VTG | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 BIT,low end Core,4k Fl RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
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