參數(shù)資料
型號： M7020R-066ZA1T
廠商： 意法半導體
英文描述： 32K x 68-bit Entry NETWORK SEARCH ENGINE
中文描述： 32K的× 68位進入網(wǎng)絡搜索引擎
文件頁數(shù)： 15/150頁
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代理商： M7020R-066ZA1T
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M7020R
Table 5. Capacitance
Note: 1. Effective capacitance measured with power supply. Sampled only, not 100% tested.
2.
At 25°C, f = 1MHz.
3. Outputs deselected.
Table 6. DC Characteristics
Note: 1. Valid for Ambient Operating Temperature: T
A
= 0 to 70°C; V
DD
= 1.5V.
Symbol
Parameter
Test Condition
(1,2)
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
IO(3)
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
6
pF
Sym
Parameter
Test Condition
(1)
Min
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
V
DDQ
= V
DDQ
(max), V
IN
= 0 to V
DDQ
(max)
±10
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
DDQ
= V
DDQ
(max), V
IN
= 0 to V
DDQ
(max)
±10
μA
V
IL
Input Low Voltage (V
DDQ
= 3.3V)
–0.3
0.8
V
V
IH
Input High Voltage (V
DDQ
= 3.3V)
2.0
V
DDQ
+ 0.3
V
V
IL
Input Low Voltage (V
DDQ
= 2.5V)
–0.3
0.7
V
V
IH
Input High Voltage (V
DDQ
= 2.5V)
1.7
V
DDQ
+ 0.3
V
V
OL
Output Low Voltage (V
DDQ
= 3.3V)
V
DDQ
= V
DDQ
(min), I
OL
= 8mA
0.4
V
V
OH
Output High Voltage (V
DDQ
= 3.3V)
V
DDQ
= V
DDQ
(min), I
OH
= 8mA
2.4
V
V
OL
Output Low Voltage (V
DDQ
= 2.5V)
V
DDQ
= V
DDQ
(min), I
OL
= 8mA
0.4
V
V
OH
Output High Voltage (V
DDQ
= 2.5V)
V
DDQ
= V
DDQ
(min), I
OH
= 8mA
2.0
V
I
DD1
1.8V Supply Current at V
DD
(max)
66MHz Search Rate
2300
mA
50MHz Search Rate
1800
mA
I
DD2
3.3V Supply Current at V
DD
(max)
66MHz Search Rate, I
OUT
= 0mA
200
mA
50MHz Search Rate, I
OUT
= 0mA
150
mA
I
DD2
2.5V Supply Current at V
DD
(max)
66MHz Search Rate, I
OUT
= 0mA
160
mA
50MHz Search Rate, I
OUT
= 0mA
120
mA
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PDF描述
M7020R-083ZA1T 32K x 68-bit Entry NETWORK SEARCH ENGINE
M7020R 32K x 68-bit Entry NETWORK SEARCH ENGINE
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M72DW64000B70ZT 64Mbit (x8/ x16, Multiple Bank, Boot Block) Flash Memory and 16Mbit Pseudo SRAM, 3V Supply, Multiple Memory Product
M72DW64000B90ZT 64Mbit (x8/ x16, Multiple Bank, Boot Block) Flash Memory and 16Mbit Pseudo SRAM, 3V Supply, Multiple Memory Product
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