參數(shù)資料
型號(hào)： M69AW024BL70ZB8T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM
中文描述： 16兆位（1米× 16）3V的異步移動(dòng)存儲(chǔ)芯片
文件頁(yè)數(shù)： 20/29頁(yè)
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代理商： M69AW024BL70ZB8T
M69AW024B
20/29
Figure 13. W Controlled, Continuous Write AC Waveforms
Note: 1. E2 must be High during the Write cycle.
Figure 14. E1 Controlled, Read/Write AC Waveforms
Note: 1. Write address is valid from the falling edge of either E1 or W, whichever occurs later.
AI07413C
VALID DATA INPUT
A0-A19
E1
G
DQ0-DQ15
ADDRESS VALID
ADDRESS VALID
tDVWH
tWHDX
tGHWL
tWLWL
tWLWH
tWHWL
tGHAX
tAVWL
W
UB, LB
tAVWL
ADDRESS VALID
tWLAX
tGHEL
tELWL
tWHBH
tGHQZ
tBLWL
tBLWL
tGHBH
AI07414C
WRITE DATA INPUT
A0-A19
E1
G
DQ0-DQ15
ADDRESS VALID
ADDRESS VALID
tDVEH
tEHDX
tGHEL
tWHEL
tELEL
tELEH1
tEHEL1
tEHAX
tAVEL
W
UB, LB
tAVEL
ADDRESS VALID
tELAX
tEHEL1
tEHQZ
tWLEL
tEHWH
tEHWL
tGLQX
tEHQX
READ DATA OUTPUT
tEHBH
tBLGL
tBLEL
tEHBH
ELGL
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PDF描述
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M69AW048BL70ZB8 32 Mbit (2M x16) 3V Asynchronous PSRAM
M6D-50 DOUBLE-BALANCED MIXER
M6MGB331S4BKT 33,554,432-BIT (2,097,152 - WORD BY 16-BIT/4,194,304-WORD BY 8-BIT) CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & 4,194,304-BIT (262,144-WORD BY 16-BIT/524,288-WORD B
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