參數(shù)資料
型號(hào)： M68AW128ML70ND1F
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
中文描述： 2兆位（128K的× 16）3.0V異步SRAM
文件頁(yè)數(shù)： 21/22頁(yè)
文件大?。?/td> 335K
代理商： M68AW128ML70ND1F
21/22
M68AW128M
REVISION HISTORY
Table 13. Document Revision History
Date
Version
Revision Details
July 2001
-01
First Issue.
10-Dec-2001
-02
Document completely revised.
18-Feb-2002
-03
Tables
2
,
7
,
8
and
9
clarified.
25-Mar-2002
-04
Read and Standby Mode AC Characteristics table clarified (Table
7
).
Low V
CC
Data Retention Characteristics table clarified (Table
9
).
17-June-2002
-05
Minor changes.
09-Oct-2002
5.1
Revision numbering modified: a minor revision will be indicated by incrementing the
digit after the dot, and a major revision, by incrementing the digit before the dot
(revision version 05 equals 5.0).
Part number modified.
20-Apr-2004
6.0
Lead-free package version added.
24-Sep-2004
7.0
t
PU
ad t
PD
updated in Table 7.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M68AW128ML70ND1T 2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW128ML70ND6 LAMP
M68AW128ML70ND6E 2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW128ML70ND6F 2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW128ML70ND6T 2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M68AW128ML70ND1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW128ML70ND6 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2 MBIT(128K X16)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
M68AW128ML70ND6E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW128ML70ND6F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW128ML70ND6T 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
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