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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M59DR016DZB |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆1兆x16插槽，雙行，頁1.8V電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 32/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 240K |
| 代理商： | M59DR016DZB |
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M59DR016C, M59DR016D
32/37
Figure 12. Data Polling Flowchart
READ DQ5 & DQ7
at VALID ADDRESS
START
READ DQ7
FAIL
PASS
AI02574
D=
DATA
YES
NO
YES
NO
DQ5
= 1
D=
DATA
YES
NO
Figure 13. Data Toggle Flowchart
READ
DQ5 & DQ6
START
READ DQ6
FAIL
PASS
AI02626
D=
TOGGLES
NO
NO
YES
YES
DQ5
= 1
NO
YES
D=
TOGGLES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59DR016C100ZB1T | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C100ZB6T | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C120ZB1T | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C120ZB6T | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR016EC85ZB6T | 功能描述:閃存 16M (1Mx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M59DR016-ZBT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR032A | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A100N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A100N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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