參數(shù)資料
型號(hào)： M59DR016D100ZB1T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
中文描述： 16兆1兆x16插槽，雙行，頁(yè)1.8V電源閃存
文件頁(yè)數(shù)： 23/37頁(yè)
文件大小： 240K
代理商： M59DR016D100ZB1T
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M59DR016C, M59DR016D
Figure 6. Page Read AC Waveforms
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
M59DR016D100ZB6T 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
M59DR016D120ZB1T 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
M59DR016D120ZB6T 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
M59DR016CZB 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
M59DR016-ZBT 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M59DR016D100ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
M59DR016D120ZB1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
M59DR016D120ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
M59DR016DZB 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
M59DR016EC85ZB6T 功能描述:閃存 16M (1Mx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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