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參數(shù)資料
| 型號： | M59DR016C120ZB1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆1兆x16插槽，雙行，頁1.8V電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 28/37頁 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | M59DR016C120ZB1T |
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M59DR016C, M59DR016D
28/37
Table 28. Data Polling and Toggle Bits AC Characteristics
(1)
(T
A
= 0 to 70 °C or –40 to 85 °C; V
DD
= V
DDQ
= 1.65V to 2.2V)
Note: 1. All other timings are defined in Read AC Characteristics table.
Symbol
Parameter
M59DR016
Unit
Min
Max
t
WHQ7V
Write Enable High to DQ7 Valid (Program, W Controlled)
10
200
μs
Write Enable High to DQ7 Valid (Block Erase, W Controlled)
1
10
s
t
EHQ7V
Chip Enable High to DQ7 Valid (Program, E Controlled)
10
200
μs
Chip Enable High to DQ7 Valid (Block Erase, E Controlled)
1
10
s
t
Q7VQV
Q7 Valid to Output Valid (Data Polling)
0
ns
t
WHQV
Write Enable High to Output Valid (Program)
10
200
μs
Write Enable High to Output Valid (Block Erase)
1
10
s
t
EHQV
Chip Enable High to Output Valid (Program)
10
200
μs
Chip Enable High to Output Valid (Block Erase)
1
10
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59DR016C120ZB6T | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016D | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016D100ZB1T | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016D100ZB6T | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016D120ZB1T | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR016C120ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
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| M59DR016D100ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
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