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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M59DR016 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆1兆x16插槽，雙行，頁1.8V電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 20/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 240K |
| 代理商： | M59DR016 |
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M59DR016C, M59DR016D
20/37
Table 24. DC Characteristics
(TA = 0 to 70°C or –40 to 85°C; V
DD
= V
DDQ
= 1.65V to 2.2V)
Symbol
Parameter
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. V
PP
may be connected to 12V power supply for a total of less than 100 hrs.
3. For standard program/erase operation V
PP
is don’t care.
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
±1
μA
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
DD
±5
μA
I
CC1
Supply Current
(Read Mode)
E = V
IL
, G = V
IH
, f = 6MHz
10
20
mA
I
CC2
Supply Current
(Power Down)
RP = V
SS
± 0.2V
2
10
μA
I
CC3
Supply Current (Standby)
E = V
DD
± 0.2V
15
50
μA
I
CC4
(1)
Supply Current
(Program or Erase)
Word Program, Block Erase
in progress
10
20
mA
I
CC5 (1)
Supply Current
(Dual Bank)
Program/Erase in progress
in one Bank, Read in the
other Bank
20
40
mA
I
PP1
V
PP
Supply Current
(Program or Erase)
V
PP
= 12V ± 0.6V
5
10
mA
I
PP2
V
PP
Supply Current
(Standby or Read)
V
PP
≤
V
CC
0.2
5
μA
V
PP
= 12V ± 0.6V
100
400
μA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.4
V
V
IH
Input High Voltage
V
DDQ
–0.4
V
DDQ
+ 0.4
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 100μA
0.1
V
V
OH
Output High Voltage
CMOS
I
OH
= –100μA
V
DDQ
–0.1
V
V
PP (2,3)
V
PP
Supply Voltage
(Program or Erase)
–0.4
V
DD
+ 0.4
V
Double Word Program
11.4
12.6
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59DR016DZB | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C100ZB1T | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C100ZB6T | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C120ZB1T | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR016C | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C100ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
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| M59DR016C120ZA6T | 功能描述:閃存 16M (1Mx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M59DR016C120ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
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