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參數(shù)資料
| 型號： | M59DR016 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆1兆x16插槽，雙行，頁1.8V電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 19/37頁 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | M59DR016 |
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M59DR016C, M59DR016D
Figure 4. AC Testing Load Circuit
AI02316
VDDQ / 2
OUT
CL = 30pF
CL includes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
Table 22. AC Measurement Conditions
Input Rise and Fall Times
≤
4ns
Input Pulse Voltages
0 to V
DDQ
Input and Output Timing Ref. Voltages
V
DDQ
/2
Figure 3. Testing Input/Output Waveforms
AI02315
VDDQ
0V
VDDQ/2
Table 23. Capacitance
(1)
(T
A
= 25 °C, f = 1 MHz)
Symbol
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| M59DR016DZB | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C100ZB1T | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C100ZB6T | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C120ZB1T | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR016C | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C100ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C100ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C120ZA6T | 功能描述:閃存 16M (1Mx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M59DR016C120ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
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