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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M59DR008F120ZB1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位512KB的x16插槽，雙行，第低壓閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 26/37頁 |
| 文件大小： | 267K |
| 代理商： | M59DR008F120ZB1T |
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M59DR008E, M59DR008F
26/37
Figure 7. Write AC Waveforms, W Controlled
Note: Address are latched on the falling edge of W, Data is latched on the rising edge of W.
AI03217
E
G
W
A0-A18
DQ0-DQ15
VALID
VALID
VDD
tVDHEL
tWHEH
tWHWL
tELWL
tAVWL
tWHGL
tWLAX
tWHDX
tAVAV
tDVWH
tWLWH
tGHWL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59DR008F120ZB6T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008FN | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR016 | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016DZB | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C100ZB1T | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR008F120ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008FN | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008FZB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR016 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
| M59DR016C | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory |
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