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參數(shù)資料
| 型號： | M59DR008E120ZB6T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位512KB的x16插槽，雙行，第低壓閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 20/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 267K |
| 代理商： | M59DR008E120ZB6T |
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M59DR008E, M59DR008F
20/37
Table 23. Capacitance
(1)
(T
A
= 25 °C, f = 1 MHz)
Symbol
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
Figure 4. AC Testing Load Circuit
AI02316
VDDQ / 2
OUT
CL = 30pF
CL includes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
Table 24. AC Measurement Conditions
Input Rise and Fall Times
≤
4ns
Input Pulse Voltages
0 to V
DDQ
Input and Output Timing Ref. Voltages
V
DDQ
/2
Figure 3. Testing Input/Output Waveforms
AI02315
VDDQ
0V
VDDQ/2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59DR008F120N1T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F120N6T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F120ZB1T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F120ZB6T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008FN | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR008EN | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008EZB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F100N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F100N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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