參數(shù)資料
型號： M59DR008E100ZB6T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
中文描述： 8兆位512KB的x16插槽，雙行，第低壓閃存
文件頁數(shù)： 32/37頁
文件大?。?/td> 267K
代理商： M59DR008E100ZB6T
M59DR008E, M59DR008F
32/37
Figure 12. Data Polling Flowchart
READ DQ5 & DQ7
at VALID ADDRESS
START
READ DQ7
FAIL
PASS
AI02574
D=
DATA
YES
NO
YES
NO
DQ5
= 1
D=
DATA
YES
NO
Figure 13. Data Toggle Flowchart
READ
DQ5 & DQ6
START
READ DQ6
FAIL
PASS
AI02626
D=
TOGGLES
NO
NO
YES
YES
DQ5
= 1
NO
YES
D=
TOGGLES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M59DR008E 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008EZB 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008FZB 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008EN 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008F 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M59DR008E120N1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E120N6T 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M59DR008E120ZB1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E120ZB6T 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M59DR008EN 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
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