參數(shù)資料
型號(hào)： M59BW102
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 1 Mbit 64Kb x16, Burst Low Voltage Flash Memory
中文描述： 1兆位64Kb的x16插槽，突發(fā)低電壓快閃記憶體
文件頁數(shù)： 19/24頁
文件大?。?/td> 181K
代理商： M59BW102
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M59BW102
Figure 14. Data Polling DQ7 AC Waveform
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
M59BW10225N1T 1 Mbit 64Kb x16, Burst Low Voltage Flash Memory
M59BW102N 1 Mbit 64Kb x16, Burst Low Voltage Flash Memory
M59DR008 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E100N1T Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TV07; No. of Contacts:56; Connector Shell Size:25; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle; Body Style:Straight
M59DR008E100N6T Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TV07; Number of Contacts:56; Connector Shell Size:25; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle; Body Style:Straight
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參數(shù)描述
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M59DR008 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E100N1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
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