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參數(shù)資料
| 型號： | M58LV064A |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的x16或功能的2Mb X32號，統(tǒng)一座，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 37/65頁 |
| 文件大小： | 450K |
| 代理商： | M58LV064A |
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M58LV064A, M58LV064B
Figure 13. Asynchronous Latch Controlled Bus Read AC Waveforms
Note: Asynchronous Read (M15 = 1), Latch Enable Controlled (M3 = 1)
Table 18. Asynchronous Latch Controlled Bus Read AC Characteristics
Note: For other timings see Table 17, Asynchronous Bus Read Characteristics.
Symbol
Parameter
Test Condition
M58LV064
Unit
150
t
AVLL
Address Valid to Latch Enable Low
E = V
IL
Min
0
ns
t
AVLH
Address Valid to Latch Enable High
E = V
IL
Min
10
ns
t
LHLL
Latch Enable High to Latch Enable Low
Min
10
ns
t
LLLH
Latch Enable Low to Latch Enable High
E = V
IL
Min
10
ns
t
ELLL
Chip Enable Low to Latch Enable Low
Min
0
ns
t
ELLH
Chip Enable Low to Latch Enable High
Min
10
ns
t
LLQX
Latch Enable Low to Output Transition
E = V
IL
, G = V
IL
Min
0
ns
t
LLQV
Latch Enable Low to Output Valid
E = V
IL
, G = V
IL
Min
150
ns
t
LHAX
Latch Enable High to Address Transition
E = V
IL
Min
10
ns
t
GLQX
Output Enable Low to Output Transition
E = V
IL
Min
0
ns
t
GLQV
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
20
ns
t
EHLX
Chip Enable High to Latch Enable Transition
Min
0
ns
AI03251b
L
E
G
A1-A22
DQ0-DQx
VALID
tEHLX
tLHLL
tLHAX
tAVLL
tELLL
tLLLH
tELLH
tEHQX
tGHQZ
tGHQX
tLLQV
tGLQV
tGLQX
OUTPUT
tAVLH
tLLQX
tEHQZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LV064A150N1T | 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LV064A150N6T | 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LV064A150ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW032C | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032C110N1 | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LV064A150N1 | 功能描述:閃存 4Mx16 or 2Mx32 150ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58LV064A150N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LV064A150N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LV064A150ZA1 | 功能描述:閃存 4Mx16 or 2Mx32 150ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58LV064A150ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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