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參數(shù)資料
| 型號： | M58LV064A150ZA6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的x16或功能的2Mb X32號，統(tǒng)一座，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 35/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 450K |
| 代理商： | M58LV064A150ZA6T |
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M58LV064A, M58LV064B
Table 16. DC Characteristics
Note: 1. Biasing RP pin to V
HH
is allowed for a maximum cumulative period of 80 hours.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
±1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
±5
μ
A
I
DD
Supply Current (Random Read)
E = V
IL
, G = V
IH
, f
add
= 6MHz
30
mA
I
DDB
Supply Current (Burst Read)
E = V
IL
, G = V
IH
, f
clock
= 50MHz
50
mA
I
DD1
Supply Current (Standby)
E = V
IH
, RP = V
IH
40
μ
A
I
DD5
Supply Current (Auto Low-Power)
E = V
IL
, RP = V
IH
2
mA
I
DD2
Supply Current (Reset/Power-Down)
RP = V
IL
1
μ
A
I
DD3
Supply Current (Program or Erase,
Set Block Protection, Unprotection)
Program or Erase operation in
progress
50
mA
I
DD4
Supply Current
(Erase/Program Suspend)
E = V
IH
50
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
V
DDQ
–0.8
V
DDQ
+ 0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 100μA
0.1
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100μA
V
DDQ
–0.1
V
V
HH(1)
RP Hardware Block Unprotect
Voltage
Block Erase in progress,
Write to Buffer and Program
8.5
9.5
V
I
HH
RP Hardware Block Unprotect
Current
RP = V
HH
1
μ
A
V
LKO
V
DD
Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
2.2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW032C | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032C110N1 | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032C110N1E | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032C110N1F | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032C110N1T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LV064B | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LV064B150N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LV064B150N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LV064B150ZA1 | 功能描述:閃存 4Mx16 or 2Mx32 150ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58LV064B150ZA1T | 功能描述:閃存 4Mx16 or 2Mx32 150ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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