參數(shù)資料
型號(hào)： M58LV064A150ZA1T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
中文描述： 64兆位4Mb的x16或功能的2Mb X32號(hào)，統(tǒng)一座，突發(fā)3V電源閃存
文件頁數(shù)： 42/65頁
文件大?。?/td> 450K
代理商： M58LV064A150ZA1T
M58LV064A, M58LV064B
42/65
Table 21. Asynchronous Write and Latch Controlled Write AC Characteristics, Chip Enable
Controlled
Symbol
Parameter
Test Condition
M58LV064
Unit
150
t
AVLH
Address Valid to Latch Enable High
Min
10
ns
t
AVEH
Address Valid to Chip Enable High
W = V
IL
Min
50
ns
t
DVEH
Data Input Valid to Chip Enable High
W = V
IL
Min
50
ns
t
WLEL
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
ns
t
WLLL
Write Enable Low to Latch Enable Low
Min
0
ns
t
LHAX
Latch Enable High to Address Transition
Min
3
ns
t
LHGL
Latch Enable High to Output Enable Low
Min
35
ns
t
LHEH
Latch Enable High to Chip Enable High
Min
0
ns
t
LLLH
Latch Enable low to Latch Enable High
Min
10
ns
t
LLEH
Latch Enable Low to Chip Enable High
Min
50
ns
t
VPHEH
Program/Erase Enable High to Chip Enable High
Min
0
ns
t
EHAX
Chip Enable High to Address Transition
W = V
IL
Min
10
ns
t
EHBL
Chip Enable High to Ready/Busy low
Max
90
ns
t
EHDX
Chip Enable High to Input Transition
W = V
IL
Min
10
ns
t
EHWH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0
ns
t
GHEL
Output Enable High to Chip Enable Low
Min
20
ns
t
EHGL
Chip Enable High to Output Enable Low
Min
35
ns
t
EHEL
Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
30
ns
t
ELEH
Chip Enable Low to Chip Enable High
W = V
IL
Min
70
ns
t
ELLH
Chip Enable Low to Latch Enable High
W = V
IL
Min
10
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M58LV064A 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064A150N1T 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064A150N6T 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064A150ZA6T 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LW032C 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M58LV064A150ZA6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064B 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064B150N1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064B150N6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064B150ZA1 功能描述:閃存 4Mx16 or 2Mx32 150ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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