- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359080 > M58LT128GST (意法半導體) 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M58LT128GST |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories |
| 中文描述： | 128Mbit（8兆x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)）1.8V電源安全閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 64/98頁 |
| 文件大?。?/td> | 693K |
| 代理商： | M58LT128GST |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁當前第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁
11 DC and AC parameters
M58LT128GST, M58LT128GSB
64/98
Table 25.
Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
Symbol
Alt
Parameter
(1)
1.
Sampled only, not 100% tested.
M58LT128GST,
M58LT128GSB
Unit
110
C
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
Min
110
ns
t
AVEH
Address Valid to Chip Enable High
Min
50
ns
t
AVLH
Address Valid to Latch Enable High
Min
11
ns
t
DVEH
t
DS
Data Valid to Chip Enable High
Min
50
ns
t
EHAX
t
AH
Chip Enable High to Address Transition
Min
0
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Input Transition
Min
0
ns
t
EHEL
t
WPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
25
ns
t
EHGL
Chip Enable High to Output Enable Low
Min
0
ns
t
EHWH
t
CH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0
ns
t
ELKV
Chip Enable Low to Clock Valid
Min
7
ns
t
ELEH
t
WP
Chip Enable Low to Chip Enable High
Min
50
ns
t
ELLH
Chip Enable Low to Latch Enable High
Min
11
ns
t
ELQV
Chip Enable Low to Output Valid
Min
110
ns
t
GHEL
Output Enable High to Chip Enable Low
Min
17
ns
t
LHAX
Latch Enable High to Address Transition
Min
9
ns
t
LLLH
Latch Enable Pulse Width
Min
11
ns
t
WHEL(2)
2.
t
has the values shown when reading in the targeted bank. System designers should take this into account and may
insert a software No-Op instruction to delay the first read in the same bank after issuing a command. If it is a Read Array
operation in a different bank t
WHEL
is 0ns.
Write Enable High to Chip Enable Low
Min
25
ns
t
WLEL
t
CS
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
ns
P
t
EHVPL
Chip Enable High to V
PP
Low
Min
200
ns
t
QVVPL
Output (Status Register) Valid to V
PP
Low
Min
0
ns
t
VPHEH
t
VPS
V
PP
High to Chip Enable High
Min
200
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LV064A150ZA1T | 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LV064A | 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LV064A150N1T | 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LV064A150N6T | 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LV064A150ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LT128GST1ZA5 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories |
| M58LT128GST1ZA5E | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M58LT128GST1ZA5F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories |
| M58LT128HSB | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (8 Mb 】16, multiple bank, multilevel interface, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories |
| M58LT128HSB8ZA6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 128Mbit 8M x 16bit 85ns 64-Pin TBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:STD FLASH - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。