參數(shù)資料
型號： M58LT128GST1ZA5F
廠商： 意法半導體
英文描述： 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
中文描述： 128Mbit（8兆x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)）1.8V電源安全閃存
文件頁數(shù)： 65/98頁
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代理商： M58LT128GST1ZA5F
M58LT128GST, M58LT128GSB
11 DC and AC parameters
65/98
Figure 17. Reset and Power-up AC Waveforms
Table 26.
Reset and Power-up AC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
110
Unit
t
PLWL
t
PLEL
t
PLGL
t
PLLL
Reset Low to
Write Enable Low,
Chip Enable Low,
Output Enable Low,
Latch Enable Low
During Program
Min
25
μs
During Erase
Min
25
μs
Other Conditions
Min
110
ns
t
PHWL
t
PHEL
t
PHGL
t
PHLL
Reset High to
Write Enable Low
Chip Enable Low
Output Enable Low
Latch Enable Low
Min
30
ns
t
PLPH(1)(2)
1.
The device Reset is possible but not guaranteed if t
PLPH
< 50ns.
Sampled only, not 100% tested.
2.
RP Pulse Width
Min
50
ns
t
VDHPH(3)
3.
It is important to assert RP in order to allow proper CPU initialization during Power-Up or Reset.
Supply Voltages High to Reset High
Min
100
μs
AI06976
W,
RP
E, G,
VDD, VDDQ
tVDHPH
tPLPH
Power-Up
Reset
tPLWL
tPLEL
tPLGL
tPLLL
L
tPHWL
tPHEL
tPHGL
tPHLL
相關PDF資料
PDF描述
M58LT128GST 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
M58LV064A150ZA1T 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064A 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064A150N1T 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064A150N6T 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
M58LT128HSB 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (8 Mb 】16, multiple bank, multilevel interface, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories
M58LT128HSB8ZA6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 128Mbit 8M x 16bit 85ns 64-Pin TBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:STD FLASH - Trays
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M58LT128HSB8ZA6F 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 64TBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
M58LT128HSB8ZA6T 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (8 Mb 】16, multiple bank, multilevel interface, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories
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