參數(shù)資料
型號： M58LT128GST1ZA5F
廠商： 意法半導體
英文描述： 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
中文描述： 128Mbit（8兆x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)）1.8V電源安全閃存
文件頁數(shù)： 47/98頁
文件大小： 693K
代理商： M58LT128GST1ZA5F
M58LT128GST, M58LT128GSB
9 Program and Erase times and Endurance cycles
47/98
9
Program and Erase times and Endurance cycles
The Program and Erase times and the number of Program/ Erase cycles per block are shown in
Table 16
Exact erase times may change depending on the memory array condition. The best
case is when all the bits in the block are at ‘0’ (pre-programmed). The worst case is when all the
bits in the block are at ‘1’ (not preprogrammed). Usually, the system overhead is negligible with
respect to the erase time. In the M58LT128GST and M58LT128GSB the maximum number of
Program/Erase cycles depends on the V
PP
voltage supply used.
Table 16.
Program/Erase Times and Endurance Cycles
Parameter
Condition
(1)(2)
Min
Typ
Typical
after
100kW/E
Cycles
Max
Unit
V
P
D
Erase
Parameter Block (16 KWord)
0.4
1
2.5
s
Main Block (64
KWord)
Preprogrammed
1
3
4
s
Not Preprogrammed
1.2
4
s
Program
(3)
SIngle Cell
Word Program
30
60
μs
Buffer Program
30
60
μs
Single Word
Word Program
90
180
μs
Buffer Program
90
180
μs
Buffer (32 Words) (Buffer Program)
440
880
μs
Main Block (64 KWord)
880
ms
Suspend Latency
Program
20
25
μs
Erase
20
25
μs
Program/Erase
Cycles (per Block)
Main Blocks
100,000
cycles
Parameter Blocks
100,000
cycles
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M58LT128GST 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
M58LV064A150ZA1T 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064A 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064A150N1T 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064A150N6T 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
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參數(shù)描述
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M58LT128HSB8ZA6E 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 64TBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
M58LT128HSB8ZA6F 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 64TBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
M58LT128HSB8ZA6T 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (8 Mb 】16, multiple bank, multilevel interface, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories
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