參數(shù)資料
型號(hào)： M58LT128GST1ZA5E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
中文描述： 128Mbit（8兆x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)）1.8V電源安全閃存
文件頁(yè)數(shù)： 56/98頁(yè)
文件大?。?/td> 693K
代理商： M58LT128GST1ZA5E
11 DC and AC parameters
M58LT128GST, M58LT128GSB
56/98
Table 22.
Asynchronous Read AC Characteristics
Symbol
Alt
Parameter
M58LT128GST,
M58LT128GSB
Unit
110
R
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address Valid
Min
110
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid (Random)
Max
110
ns
t
AVQV1
t
PAGE
Address Valid to Output Valid (Page)
Max
25
ns
t
AXQX(1)
1.
Sampled only, not 100% tested.
t
OH
Address Transition to Output Transition
Min
0
ns
t
ELTV
Chip Enable Low to Wait Valid
Max
16
ns
t
ELQV(2)
2.
G may be delayed by up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of E without increasing t
ELQV
.
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
Max
110
ns
t
ELQX(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output Transition
Max
0
ns
t
EHTZ
Chip Enable High to Wait Hi-Z
Max
17
ns
t
EHQX(1)
t
OH
Chip Enable High to Output Transition
Min
0
ns
t
EHQZ(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
Max
17
ns
t
GLQV
(2)
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
Max
30
ns
t
GLQX(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output Transition
Min
0
ns
t
GLTV
Output Enable Low to WAIT Valid
Max
17
ns
t
GHQX (1)
t
OH
Output Enable High to Output Transition
Min
0
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
Max
17
ns
t
GHTZ
t
DF
Output Enable High to WAIT Hi-Z
Max
17
ns
L
t
AVLH
t
AVADVH
Address Valid to Latch Enable High
Min
11
ns
t
ELLH
t
ELADVH
Chip Enable Low to Latch Enable High
Min
10
ns
t
LHAX
t
ADVHAX
Latch Enable High to Address Transition
Min
9
ns
t
LLLH
t
ADVLADVH
Latch Enable Pulse Width
Min
11
ns
t
LLQV
t
ADVLQV
Latch Enable Low to Output Valid
(Random)
Max
110
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M58LT128GST1ZA5F 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
M58LT128GST 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
M58LV064A150ZA1T 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064A 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064A150N1T 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M58LT128GST1ZA5F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
M58LT128HSB 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (8 Mb 】16, multiple bank, multilevel interface, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories
M58LT128HSB8ZA6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 128Mbit 8M x 16bit 85ns 64-Pin TBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:STD FLASH - Trays
M58LT128HSB8ZA6E 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 64TBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
M58LT128HSB8ZA6F 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 64TBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
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