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參數(shù)資料
| 型號： | M58LT128GSB1ZA5E |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories |
| 中文描述： | 128Mbit（8兆x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)）1.8V電源安全閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 51/98頁 |
| 文件大?。?/td> | 693K |
| 代理商： | M58LT128GSB1ZA5E |
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M58LT128GST, M58LT128GSB
11 DC and AC parameters
51/98
Figure 8.
AC Measurement Load Circuit
Table 19.
Capacitance
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
(1)
1.
Sampled only, not 100% tested.
Max
(1)
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
8
12
pF
AI06162
VDDQ
CL
CL includes JIG capacitance
16.7k
DEVICE
UNDER
TEST
0.1μF
VDD
0.1μF
VDDQ
16.7k
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LT128GSB1ZA5F | 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories |
| M58LT128GST1ZA5 | 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories |
| M58LT128GSB | 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories |
| M58LT128GSB1ZA5 | 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories |
| M58LT128GS | 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LT128GSB1ZA5F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories |
| M58LT128GST | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories |
| M58LT128GST1ZA5 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories |
| M58LT128GST1ZA5E | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M58LT128GST1ZA5F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories |
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