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參數(shù)資料
| 型號： | M58CR064QZB |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的× 16，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 8/70頁 |
| 文件大小： | 1000K |
| 代理商： | M58CR064QZB |
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M58CR064C, M58CR064D, M58CR064P, M58CR064Q
8/70
Figure 3. TFBGA Connections (Top view through package)
Table 2. Bank Architecture
Bank Size
Parameter Blocks
Main Blocks
Bank A
16 Mbit
8 blocks of 4 KWord
31 blocks of 32 KWord
Bank B
48 Mbit
-
96 blocks of 32 KWord
AI90001
DQ1
DQ13
DQ3
DQ12
DQ6
DQ8
D
A1
A3
A6
A9
A12
A15
C
A2
A5
A17
A18
A10
B
A4
A7
A19
VPP
A8
A11
A13
A
8
7
6
5
4
3
2
1
A20
G
F
E
VSS
VDD
K
RP
L
W
A14
WAIT
A16
WP
VDDQ
DQ4
DQ2
E
A0
VSS
DQ15
DQ14
DQ11
DQ10
DQ9
DQ0
G
DQ7
VSSQ
DQ5
VDD
VDDQ
VSSQ
A21
NC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58CR064P90ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064Q10ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064D10ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064D90ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064P10ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58CR064-ZBT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58DR032C100ZA6T | 功能描述:閃存 32M (4Mx8) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M-58H | 制造商:MG Electronics 功能描述:8'' x 5'' Paging Horn |
| M5-8L | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:IC PAD |
| M58LR016C100ZC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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