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參數(shù)資料
| 型號： | M58CR064QZB |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的× 16，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 50/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 1000K |
| 代理商： | M58CR064QZB |
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M58CR064C, M58CR064D, M58CR064P, M58CR064Q
50/70
APPENDIX A. BLOCK ADDRESS TABLES
Table 28. Top Boot Block Addresses,
M58CR064C, M58CR064P
Size
(KWord)
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Bank
#
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58CR064P90ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064Q10ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064D10ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064D90ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064P10ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58CR064-ZBT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58DR032C100ZA6T | 功能描述:閃存 32M (4Mx8) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M-58H | 制造商:MG Electronics 功能描述:8'' x 5'' Paging Horn |
| M5-8L | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:IC PAD |
| M58LR016C100ZC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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