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參數(shù)資料
| 型號： | M58CR064Q12ZB6T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的× 16，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 46/70頁 |
| 文件大小： | 1000K |
| 代理商： | M58CR064Q12ZB6T |
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M58CR064C, M58CR064D, M58CR064P, M58CR064Q
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PACKAGE MECHANICAL
Figure 17. TFBGA56 6.5x10mm - 8x7 ball array, 0.75 mm pitch, Bottom View Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
Table 25. TFBGA56 6.5x10mm - 8x7 ball array, 0.75 mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
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1.200
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A1
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0.400
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b
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D
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D1
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–
–
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–
–
ddd
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E
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9.900
10.100
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E1
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–
–
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–
–
e
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–
–
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–
–
FD
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–
–
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–
–
FE
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–
–
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–
–
SD
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–
–
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–
–
E1
E
D1
D
A2
A1
A
BGA-Z20
ddd
e
e
SD
b
FE
FD
BALL "A1"
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58CR064D85ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064DZB | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064QZB | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064P90ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064Q10ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58CR064Q85ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064Q90ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064QZB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064-ZBT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58DR032C100ZA6T | 功能描述:閃存 32M (4Mx8) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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