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參數(shù)資料
| 型號： | M58CR064Q10ZB6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的× 16，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 43/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 1000K |
| 代理商： | M58CR064Q10ZB6T |
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M58CR064C, M58CR064D, M58CR064P, M58CR064Q
Figure 15. Write AC Waveforms, Chip Enable Controlled
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| M58CR064Q12ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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| M58CR064Q90ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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