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參數(shù)資料
| 型號： | M58CR064PZB |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的× 16，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 34/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 1000K |
| 代理商： | M58CR064PZB |
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M58CR064C, M58CR064D, M58CR064P, M58CR064Q
34/70
Table 19. DC Characteristics - Voltages
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.4
V
V
IH
Input High Voltage
V
DDQ
–0.4
V
DDQ
+ 0.4
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 100μA
0.1
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100μA
V
DDQ
–0.1
V
V
PP1
V
PP
Program Voltage-Logic
Program, Erase
1
1.8
1.95
V
V
PPH
V
PP
Program Voltage Factory
Program, Erase
11.4
12
12.6
V
V
PPLK
Program or Erase Lockout
0.9
V
V
LKO
V
DD
Lock Voltage
1
V
V
RPH
RP pin Extended High Voltage
3.3
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58CR064P85ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064Q85ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064-ZBT | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064C10ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064C85ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58CR064Q | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064Q10ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064Q12ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064Q85ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064Q90ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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