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參數(shù)資料
| 型號： | M58CR064P90ZB6T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的× 16，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 37/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 1000K |
| 代理商： | M58CR064P90ZB6T |
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M58CR064C, M58CR064D, M58CR064P, M58CR064Q
Table 20. Asynchronous Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. G may be delayed by up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of E without increasing t
ELQV
.
Symbol
Alt
Parameter
M58CR064
Unit
85
90
100
120
R
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address Valid
Min
85
90
100
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid (Random)
Max
85
90
100
120
ns
t
AVQV1
t
PAGE
Address Valid to Output Valid (Page)
Max
30
30
45
45
ns
t
AXQX (1)
t
OH
Address Transition to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
ELTV
Chip Enable Low to Wait Valid
Max
14
14
14
18
ns
t
ELQV
(2)
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
Max
85
90
100
120
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
EHTZ
Chip Enable High to Wait Hi-Z
Max
20
20
20
20
ns
t
EHQX (1)
t
OH
Chip Enable High to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
Max
20
20
20
20
ns
t
GLQV
(2)
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
Max
25
25
25
25
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
GLTV
Output Enable Low to Wait Valid
Max
14
14
14
18
ns
t
GHQX (1)
t
OH
Output Enable High to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
Max
20
20
20
20
ns
L
t
AVLH
t
AVADVH
Address Valid to Latch Enable High
Min
10
10
10
10
ns
t
ELLH
t
ELADVH
Chip Enable Low to Latch Enable High
Min
10
10
10
10
ns
t
LHAX
t
ADVHAX
Latch Enable High to Address Transition
Min
10
10
10
10
ns
t
LLLH
t
ADVLADVH
Latch Enable Pulse Width
Min
10
10
10
10
ns
t
LLQV
t
ADVLQV
Latch Enable Low to Output Valid (Random)
Max
85
90
100
120
ns
t
LHGL
t
ADVHGL
Latch Enable High to Output Enable Low
Min
10
10
10
10
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| M58CR064D90ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| M58CR064Q10ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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