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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58CR064P12ZB6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的× 16，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 40/70頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1000K |
| 代理商： | M58CR064P12ZB6T |
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M58CR064C, M58CR064D, M58CR064P, M58CR064Q
40/70
Table 21. Synchronous Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. For other timings please refer to Table 20, Asynchronous Read AC Characteristics.
Symbol
Alt
Parameter
M58CR064
Unit
85
90
100
120
S
t
AVKH
t
AVCLKH
Address Valid to Clock High
Min
7
7
7
7
ns
t
ELKH
t
ELCLKH
Chip Enable Low to Clock High
Min
7
7
7
7
ns
t
ELTV
Chip Enable Low to Wait Valid
Max
14
14
14
18
ns
t
EHEL
Chip Enable Pulse Width
(subsequent synchronous reads)
Min
20
20
20
20
ns
t
EHTZ
Chip Enable High to Wait Hi-Z
Max
20
20
20
20
ns
t
KHAX
t
CLKHAX
Clock High to Address Transition
Min
10
10
10
10
ns
t
KHQV
t
KHTV
t
CLKHQV
Clock High to Output Valid
Clock High to WAIT Valid
Max
14
14
14
18
ns
t
KHQX
t
KHTX
t
CLKHQX
Clock High to Output Transition
Clock High to WAIT Transition
Min
4
4
4
ns
t
LLKH
t
ADVLCLKH
Latch Enable Low to Clock High
Min
7
7
7
7
ns
C
t
KHKH
t
CLK
Clock Period (f=40MHz)
Min
25
ns
Clock Period (f=54MHz)
Min
18
18
18
ns
t
KHKL
t
CLKHCLKL
Clock High to Clock Low
Min
5
5
5
5
ns
t
KLKH
t
CLKLCLKH
Clock Low to Clock High
Max
5
5
5
5
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| M58CR064PZB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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| M58CR064Q10ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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