- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359080 > M58CR064-ZBT (意法半導體) 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M58CR064-ZBT |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的× 16，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 69/70頁 |
| 文件大小： | 1000K |
| 代理商： | M58CR064-ZBT |
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69/70
M58CR064C, M58CR064D, M58CR064P, M58CR064Q
24-Feb-2003
9.2
Revision History moved to end of document.
90ns Speed Class added. Bank Erase Command moved to Factory Program
Commands section. Bank Erase cycles limited to 100 per Block.
WAIT signal modified in Figure 7, Wait Configuration Example. WAIT behavior
modified. Burst sequence in wrapped configuration and Burst sequence start
specified in Synchronous Burst Read Mode paragraph. Erase replaced by Block
Erase in Tables 11 and 12, Dual Operations allowed in Other Bank and in Same
Bank, respectively. Latch signal corrected in Figure 11, Asynchronous Page Read
AC Waveforms. Daisy Chain added.
06-Jun-2003
9.3
V
DD
and V
DDQ
minimum values changed for 90ns speed class in Table 16, Operating
and AC Measurement Conditions. Minor text changes.
Date
Version
Revision Details
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58CR064C10ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064C85ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064C90ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064CZB | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064Q90ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58DR032C100ZA6T | 功能描述:閃存 32M (4Mx8) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M-58H | 制造商:MG Electronics 功能描述:8'' x 5'' Paging Horn |
| M5-8L | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:IC PAD |
| M58LR016C100ZC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58LR016C120ZC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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